东微半导一季度报表：营业收入构造不断提升 商品特性及工艺优点助推销售业绩不断高增

　　4月27日夜间，东微半导公布2022年度第一季度季度报告，销售业绩不断保持高增。企业一季度完成主营业务收入2.06亿人民币，同比增加45.50%。属于上市企业公司股东的纯利润4774.33万余元，同比增加129.98%。属于上市企业公司股东的扣减非经常性损益的纯利润4709.94万余元，同比增加128.96%。资产总额同比增长110.08%，环比提升8.07%。销售利润率同比增长5.96%，环比提升3.95%。

　　材料表明，东微半导是我国先进的性能卓越电力电子器件设计方案生产商，有着强劲的最底层元器件构造产品研发革新与产业发展工作能力，是中国极少数具有从专利权到批量生产详细工作经验的性能卓越电力电子器件设计公司之一。凭着优异的半导体元器件与加工工艺自主创新能力，东微半导与世界各国工业生产级、车规及各细分行业的领头顾客创建了长久平稳的合作关系，销售业绩完成不断快速增长。

　　商品类目规格型号不断丰富多彩 收益全方位快速提高

　　东微半导的具体设备包含GreenMOS系列产品髙压非常结MOSFET、SFGMOS系列产品及FSMOS系列中低电压屏蔽掉栅MOSFET、及其TGBT系列产品IGBT商品。企业的产品广泛运用于以新能源车直流充电桩、车载充电机、5G通信基站开关电源及通信电源、大数据中心服务器电源、储能技术和光伏逆变器、UPS开关电源和工业生产照明灯具开关电源为象征的行业级主要用途，及其以PC电源、电源适配器、TV电源板、手机上快速充电器为象征的消费电子产品主要用途。

　　近些年，东微半导不断增加研发投入，丰富多彩商品类目与产品型号，积极推动主打产品髙压非常结MOSFET、中低电压屏蔽掉栅MOSFET及TGBT商品服务平台的系统迭代升级，提升8英尺与12英寸处理芯片代工生产服务平台的商品合理布局，获得不错成果。依据企业公布的2021年度汇报，截止到2021年12月31日，企业总共有着商品型号规格1790尾款，包含髙压非常结MOSFET商品（包含非常硅MOSFET）1100款，中低电压SGT商品641款，IGBT产品52款。

　　凭着在性能卓越电力电子器件行业出色的技术水平、商品功能和一流的行业级、车规主要用途终端设备顾客基本，东微半导紧紧抓住国产替代的时间机会，再次深耕细作以新能源车直流充电桩、车载充电机、5G通信基站开关电源及通信电源、太阳能发电逆变电源及储能技术、大数据中心服务器电源和工业生产照明灯具开关电源等为意味着的行业级与车辆级主要用途，累积了著名的世界各国顾客群，与各行业头顶部生产商长期保持、不断的战略合作协议关联。

　　与此同时，企业大力开发设计以Tri-gateIGBT为象征的新式电力电子器件商品，快速扩张新科技产品在公司业务疆域的比例，并凭着优良的设备特性进到性能卓越储能技术、光伏逆变器、直流充电桩等效率高电磁能变换系统应用，截止到2022年一季度末总计交货超出上百万颗，进到好几个头顶部顾客大批量运用;值得一提的是，从商品送测到好几个顾客大批量订单信息均值周期时间仅为3-6个月，反映出商品出色的使用性能和稳定性。

　　2021年，东微半导完成主营业务收入7.82亿人民币，比上年同期提高153.28%;完成属于上市企业公司股东的纯利润1.47亿人民币，比上年同期提高430.66%;完成属于上市企业公司股东的扣减非经常性损益的纯利润1.41亿人民币，比上年同期提高588.67%。与此同时，企业主营业务收入在各系列产品均完成持续增长。

　　实际看来，2021年，企业髙压非常结MOSFET商品全年度完成销售收入约5.7亿，同比增加128.27%;中低电压屏蔽掉栅MOSFET商品全年度完成销售收入约2.06亿，同比增加246.85%;企业非常硅MOSFET商品全年度完成主营业务收入较2020年同期增长432.63%;企业Tri-gateIGBT商品初次批量生产交货，全年度完成主营业务收入568.17万余元。

　　深耕细作工业生产和车规销售市场 自主创新完成高品质发展趋势

　　获得惊人考试成绩，来源于东微半导很多年积攒的技术性文化底蕴。

　　在IGBT行业，企业的TGBT是根据新式的Tri-gateIGBT元器件构造的重要初始自主创新，根据这个基础元器件专利权，第一代TGBT电流强度已超过世界流行第七代IGBT水准，企业第二代TGBT科研开发成功，具有了超越国际性更为优秀的IGBT处理芯片的技术水平。除此之外，企业已经积极主动开展12英尺TGBT技术性的提产，产品型号将进一步丰富多彩，送测认证、大批量供应工作中均顺利进行。

　　在非常结行业，东微半导在髙压非常结技术领域累积了包含提升电荷守恒技术性、提升栅压设计方案及缓变电容器关键原胞构造等领域先进的发明专利，商品的重要性能指标做到了与国际性领跑生产商相比的水准，第四代产品研发完成并逐渐交货。

　　在中国低电压屏蔽掉栅MOSFET行业，企业亦累积了包含提升电荷守恒、自指向生产加工等关键技术，商品的重要性能指标做到了中国领先地位。

　　根据专业的技术实力，东微半导的商品竞争能力进一步提升。例如企业自主研发的非常硅 MOSFET 商品，根据调节元器件构造、提升生产加工工艺，提升了传统式硅基电力电子器件的效率短板。企业的 IGBT 商品选用具备单独专利权的 TGBT 元器件构造，差别于国际性流行 IGBT 技术性的技术创新元器件技术性，根据对元器件构造的自主创新完成了重要性能参数的大幅度提升，在没有提升生产制造难度系数的条件下提高了功率，提升了内部结构自由电子遍布，调节了静电场与正电荷的遍布，与此同时提升了导通耗损与开关损耗，具备高功率、开关损耗低、稳定性高、自维护等特性，尤其适用直流充电桩、变频调速器、储能技术逆变电源、UPS 开关电源、电机驱动器、 直流焊机、光伏逆变器等行业。

　　强劲的技术研发自主创新整体实力累加优异的设备特性，使东微半导的销售业绩得到不断高提高，这并不是廉价抢量扩张市场容量，反而是自主创新产生的使用价值提高。东微半导的设备以工业生产级运用和车规运用为主导，2021年以上行业营业收入占有率超出60%。大家都知道，工业生产级、车规主要用途对电力电子器件的使用性能和安全性规定广泛高过交易级运用终端设备，推动商品均值价格明显高过交易级运用的商品均值价格。

　　获益于新能源技术汽车充电桩、新能源车车载充电机、通信电源、光伏逆变器、大数据中心服务器电源等终端设备市场的需求迅速提高，企业在以上行业收益提高迅速。在商品收益全方位提高的与此同时，东微半导凭着商品出色特性促进综合毛利率不断提高，完成高质量发展。

　　长期性享有销售市场扩充利好消息 技术性压实发展方向

　　功率半导体产业链做为信息技术产业的基本，是社会经济和社会经济发展的战略产业链。伴随着市场的需求扩大催动的生产能力焦虑不安、中国功率半导体技术性的发展等综合性要素，功率半导体国产替代已按住了加快键，国内公司现已逐渐初露锋芒。

　　做为专门的半导体材料电力电子器件设计方案及产品研发公司，东微半导坚持不懈走在“有技术水平、国产化低”的性能卓越可靠性高商品的产品研发道路上，普遍合理布局长期性高提高销售市场。近些年，东微半导不断潜心半导体元器件构造自主创新，绝大多数受权专利权对焦元器件最底层构造自主创新，积极推动第三代半导体材料设备的开发设计，完成性能卓越电力电子器件技术性全覆盖。

　　企业在主打产品层面均已具有了中国领跑乃至国际性先进的关键技术，并在核心技术的基本上保持了髙压非常结MOSFET、中低电压屏蔽掉栅MOSFET及其TGBT商品的批量生产与市场销售。企业的髙压非常结MOSFET商品重要性能指标做到了与国际性领跑生产商相比的水准。在中国低电压行业，企业的设备技术实力亦做到了中国领先地位。企业的非常硅系列产品MOSFET商品早已产品研发完成并实现批量生产交货，完成了比传统式非常结更优质的动态性特性，可在系统软件中更换氮化镓元器件，得到了许多用户的认同。企业明确提出的新式构造TGBT的众多商品进入了大批量生产。企业亦明确提出自主创新的SiC元器件技术方案，为积极推动第三代半导体材料新产品开发与产业发展奠定扎实的新技术基本。

　　2021年，企业TGBT元器件已在光伏逆变器、储能技术、充电桩、电机驱动器等方面得到顾客的大批量运用。与此同时，2021年企业逐渐合理布局第三代输出功率半导体元器件，选用企业独创性技术性的性能卓越可靠性高SiC MOSFET设计方案，申请办理了多种有关专利权，产品研发顺利开展。商品反向恢复時间及电源开关速率主要表现出色，将快速扩大规格型号与型号规格。此产品系列将与公司的快速系列产品TGBT互为补充，对选用传统式技术方案的SiC MOSFET开展更新取代。

　　凭着优良的技术革新整体实力、全产业链深层融合工作能力和用户顾客订制化开发设计工作能力，东微半导将不断获益于新能源车、光伏逆变器、“东数西算”大数据中心网络服务器等工业生产级及车规主要用途快速扩大造成的性能卓越电力电子器件销售市场迅速发展趋势。与此同时，企业在高档工业生产级电力电子器件行业的工艺工作能力与商品功能已可与国际性一流生产商并列，在把握住领域自身迅速發展新机遇的并且具有宽阔的技术进步室内空间。企业的核心竞争优势自始至终来自于技术性的自主创新，希望东微半导在性能卓越功率半导体行业摆脱“技术控”的与众不同发展趋势之途。

相关阅读：