佳能eos推新式光刻技术代表着哪些？2021半导体材料光刻技术最新动态讲解

　　日本佳能eos将于2021年3月开售新式光刻技术“FPA-3030i5a”，该机器设备应用光波长为365纳米技术的“i线”灯源，适用直徑从2英寸（约5cm）到5.5英寸（约20厘米）的中小型基钢板。与过去型号对比，生产率提升约17％。

　　日本佳能eos正根据光刻技术加速占领高作用半导体材料销售市场。佳能eos阔别七年升级了朝向中小型基钢板的半导体材料光刻技术，提升了生产率。在用以新能源车（EV）的功率半导体和用以物联网技术的感应器要求有希望扩张的情况下，佳能eos推动适用多种多样半导体材料的产品战略。总体目标是在三大巨头垄断性的光刻技术销售市场上建立独立影响力。

　　佳能eos将于2021年3月开售新式光刻技术“FPA-3030i5a”，该机器设备应用光波长为365纳米技术的“i线”灯源，适用直徑从2英寸（约5cm）到5.5英寸（约20厘米）的中小型基钢板。屏幕分辨率为0.35μm，升级了精确测量圆晶部位的预制构件和手机软件。与过去型号对比，生产率提升约17％。

　　新型调节了精确测量圆晶部位的“校正模拟示波器”的组成，与曝出工艺流程分离设定了精确测量模块。根据另外开展横纵2个方位的精确测量而减少了時间，并根据扩张精确测量可见光波长范畴，完成了对无法鉴别标识的双层基钢板和全透明基钢板的适用，并且可以鉴别出圆晶反面的标识。

　　除开现阶段流行的硅晶圆以外，新型还能够提升中小型圆晶较多的化学物质半导体材料的生产率。包含电力电子器件抗压性等优异的碳碳复合材料（SiC），及其做为5G有关半导体器件而遭受希望的氮化镓（GaN）等。伴随着新能源车和物联网技术的普及化，性能卓越半导体材料的要求有希望提升。

　　在半导体材料光刻技术行业，西班牙ASML和日本的佳能eos、nikon3家公司占有了全世界9成之上的市场份额。在推动提高半导体材料特性的精细化管理行业，可应用短光波长的“EUV”灯源的ASML现阶段处在优点影响力。佳能eos光学仪器业务流程总部副业务流程科长三浦圣也表明，佳能eos将依据半导体器件和基钢板规格等顾客生产制造的半导体材料类型来扩张产品系列。依照顾客的要求，对外壳及圆晶台等服务平台、投射镜片、校正模拟示波器三个关键模块开展开发设计和组成，创建齐备的商品群。